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第一个将Si驱动器和GaN功率晶体管集成在一个封装中的解决方案

2020-10-13 14:53:03 源芯达科技 31

意法半导体(ST)推出了MasterGaN,这是第一个平台,该平台嵌入了基于硅技术的半桥驱动器以及一对氮化镓(GaN)晶体管。


根据ST的说法,这种结合将加速为功率高达400W的消费和工业应用创建下一代紧凑高效的充电器和电源适配器。


氮化镓技术使这些器件尽管体积更小,重量更轻,能源效率更高,但仍可处理更多功率。这些改进将为智能手机超快速充电器和无线充电器,用于PC和游戏的USB-PD紧凑型适配器以及太阳能存储系统,不间断电源或高端OLED电视等工业应用带来变化。服务器云。


如今,GaN市场通常由分立的功率晶体管和驱动器IC服务,要求设计人员学习如何使它们协同工作以实现最佳性能。意法半导体的MasterGaN方法绕过了这一挑战,从而缩短了产品上市时间,并确保了性能,同时占用的空间更小,装配更简化,部件更少,可靠性更高。凭借GaN技术和ST集成产品的优势,与普通的硅基解决方案相比,充电器和适配器的尺寸可减少80%,重量可减少70%。


“ ST的市场独有的MasterGaN平台建立在我们久经考验的专业知识和电源设计技能的基础上,将高压智能电源BCD工艺与GaN技术相结合,以加快创建对环境友好的节省空间和高能效的产品”,意法半导体模拟分部执行副总裁兼总经理Matteo Lo Presti说。


意法半导体(ST)推出了具有MasterGaN的新平台,该平台包含两个GaN功率晶体管,作为半桥连接,并集成了高端和低端驱动器。


MasterGaN现已开始生产,采用9mm x 9mm GQFN封装,仅高1mm。


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